Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Classification of microdefects in semiconducting silicon
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, том 6
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Classification of microdefects in semiconducting silicon
Інший ID:
PACS: 61.72.Bb; 61.72.Ji; 61.72.Yx
Посилання:
Classification of microdefects in semiconducting silicon / V.I. Talanin, I.E. Talanin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 4. — С. 431-436. — Бібліогр.: 40 назв. — англ.
Дата:
2003
Переглядів:
713
Завантажень:
337
Анотація:
On the basis of experimental analysis (preferential etching, transmission electron microscopy) of the dislocation-free silicon single crystals grown by floating-zone method (FZ-Si) and Czochralski method (Cz-Si), a classification of grown-in microdefects was compiled. The suggested classification is founded on the heterogeneous formation mechanism of grown-in microdefects, which was justified earlier by us. The suggested classification is valid for crystals of either small or large diameter.
