Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Unipolar injection currents in Bi₄Ge₃O₁₂ crystals
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, том 6
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Unipolar injection currents in Bi₄Ge₃O₁₂ crystals
Інший ID:
PACS: 72.20 Iv
Посилання:
Unipolar injection currents in Bi₄Ge₃O₁₂ crystals / T.M. Bochkova, S.N. Plyaka, G.Ch. Sokolyanskii // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 4. — С. 461-464. — Бібліогр.: 23 назв. — англ.
Дата:
2003
Переглядів:
680
Завантажень:
351
Анотація:
Current-voltage characteristics of bismuth orthogermanate (Bi₄Ge₃O₁₂) single crystals have been measured at different temperatures under conditions of unipolar injection of charge carriers. It has been found that conduction is characterized by the existence of two channels of the percolation. The temperature dependencies of the conductivity, mobility and concentration of the electrons and holes are considered. The obtained results are discussed in terms of hopping transport model of charge carriers in doped heavily compensated semiconductors.
