Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, том 6
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
Інший ID:
PACS: 73.40.-c
Посилання:
Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions / Z.D. Kovalyuk, V.P. Makhniy, O.I. Yanchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 4. — С. 458-460. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
Дата:
2003
Переглядів:
687
Завантажень:
302
Анотація:
Voltage-current characteristics forwardly biased heterojunctions p-GaSe-n-InSe made by the method of optical contact are analyzed. Asit was ascertained, the forward current is determined by tunnel-recombination processes at low voltages and overbarrier emission. The experimental characteristics are defined by the known theoretical expressions for anisotipical heterojunctions with the energy diagram by Andersen.
