Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Kovalyuk, Z.D.
dc.contributor.author Makhniy, V.P.
dc.contributor.author Yanchuk, O.I.
dc.date.accessioned 2017-05-28T16:33:33Z
dc.date.available 2017-05-28T16:33:33Z
dc.date.issued 2003
dc.identifier.citation Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions / Z.D. Kovalyuk, V.P. Makhniy, O.I. Yanchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 4. — С. 458-460. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS: 73.40.-c
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118074
dc.description.abstract Voltage-current characteristics forwardly biased heterojunctions p-GaSe-n-InSe made by the method of optical contact are analyzed. Asit was ascertained, the forward current is determined by tunnel-recombination processes at low voltages and overbarrier emission. The experimental characteristics are defined by the known theoretical expressions for anisotipical heterojunctions with the energy diagram by Andersen. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис