Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Electric and dielectric properties of glasses of Cu-Sb-S-I system
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, том 6
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, № 1
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Electric and dielectric properties of glasses of Cu-Sb-S-I system
Інший ID:
PACS: 72.15.Cz, 73.61.Jc, 77.22.-d
Посилання:
Electric and dielectric properties of glasses of Cu-Sb-S-I system / V.M. Rubish // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 76-80. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.
Дата:
2003
Переглядів:
778
Завантажень:
313
Анотація:
D.c. and a.c. conductivity (d(0) and d(w )) and dielectric parameters (d and tgd ) of Cu-Sb-S-I system glasses are investigated in 1.0*10⁴ - 6.0*10⁷ Hz frequency range and 170-400 K temperature interval. In the glasses of SbSI-CuSbS₂ system the d.c. conductivity along delocalized states prevails. A.c. conductivity is explained by a combinated hopping mechanism of charge transfer by bipolarons and "simple" polarons. A high concentration of charge carriers and availability of dipole structural units Cu⁺S⁻SbS₂/₂ in the glass matrix define dielectric proporties of glasses.
