ZnO as a conductive layer prepared by ALD for solar cells based on n-CdS/n-CdTe/p-Cu₁.₈S heterostructure

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2013, том 16
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2013, № 2
→
Переглянути статтю

ZnO as a conductive layer prepared by ALD for solar cells based on n-CdS/n-CdTe/p-Cu₁.₈S heterostructure

Semikina, T.V. ; Mamykin, S.V. ; Godlewski, M. ; Luka, G. ; Pietruszka, R. ; Kopalko, K. ; Krajewski, T.A. ; Gierałtowska, S. ; Wachnicki, L. ; Shmyryeva, L.N.

Інший ID: PACS 77.55.hf; 88.40.jm, jn, jp

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117676

Посилання: ZnO as a conductive layer prepared by ALD for solar cells based on n-CdS/n-CdTe/p-Cu₁.₈S heterostructure / T.V. Semikina, S.V. Mamykin, M. Godlewski, G. Luka, R. Pietruszka, K. Kopalko, T.A. Krajewski, S. Gieraltowska, L. Wachnicki, L.N. Shmyryeva // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2013. — Т. 16, № 2. — С. 111-116. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

Підтримка: This work was partially supported by the European Union within the European Regional Development Fund, through the Innovative Economy grant ( POIG.01.01.02 - 00 -108/09 ).

Дата: 2013

Завантажень: 412

ZnO as a conductive layer prepared by ALD for solar cells based on n-CdS/n-CdTe/p-Cu₁.₈S heterostructure

Анотація:

ZnO films with high conductivity are obtained by atomic layer deposition for application in solar cells based on n CdS/ n CdTe / p Cu₁.₈S heterostructure. The parameters of solar cells with ZnO electrode are calculated from light and dark currentvoltage characteristics and compared with those obtained for structures with Mo contact. The advantages of ZnO electrode are discussed.

Показати повний запис статті