Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Физическая инженерия поверхности
→
Физическая инженерия поверхности, 2014 (том 12)
→
Физическая инженерия поверхности, 2014, № 4
→
Переглянути статтю

Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію

Інші назви: Технологические основы формирования пористого пространства на поверхности фосфида индия
Technological bases forming porous space surface phosphide indium

Тема: В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу.

УДК: 539.217; 544.723

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108497

Посилання: Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію / Я.О. Сичікова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 515-521. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.

Дата: 2014

Завантажень: 318

Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію

Анотація:

В данной работе рассмотрены технологические основы получения низкоразмерных структур на поверхности фосфида индия, представлены вариации устройства для получения пористых слоев на поверхности фосфида индия n- и р-типа.

In this paper the technological fundamentals of low-dimensional structures on the surface of indium phosphide presents variations apparatus for producing porous layers on the surface of indium phosphide n-and p-type. Porous surface is formed by anodic electrolytic etching.

Показати повний запис статті