Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Сичікова, Я.О. |
|
dc.date.accessioned |
2016-11-05T21:36:26Z |
|
dc.date.available |
2016-11-05T21:36:26Z |
|
dc.date.issued |
2014 |
|
dc.identifier.citation |
Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію / Я.О. Сичікова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 515-521. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1999-8074 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108497 |
|
dc.description.abstract |
В данной работе рассмотрены технологические основы получения низкоразмерных структур на поверхности фосфида индия, представлены вариации устройства для получения пористых слоев на поверхности фосфида индия n- и р-типа. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
In this paper the technological fundamentals of low-dimensional structures on the surface of indium phosphide presents variations apparatus for producing porous layers on the surface of indium phosphide n-and p-type. Porous surface is formed by anodic electrolytic etching. |
uk_UA |
dc.language.iso |
uk |
uk_UA |
dc.publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Физическая инженерия поверхности |
|
dc.subject |
В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу. |
uk_UA |
dc.title |
Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Технологические основы формирования пористого пространства на поверхности фосфида индия |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Technological bases forming porous space surface phosphide indium |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
539.217; 544.723 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті