Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Физическая инженерия поверхности
→
Физическая инженерия поверхности, 2014 (том 12)
→
Физическая инженерия поверхности, 2014, № 4
→
Переглянути статтю

Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления

Інші назви: Отримання періодичних шарів GaAs методом електрохімічного травлення
Obtaining periodic layers GaAs by electrochemical etching

УДК: 539.217; 544.723

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108493

Посилання: Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления / А.Ф. Дяденчук, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 484-486. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Дата: 2014

Завантажень: 319

Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления

Анотація:

В данной работе методом анодного электрохимического травления была получена периодическая пористая структура полупроводника GaAs (001) n-типа проводимости. Поперечное сечение полученной структуры изучалось на сканирующем электронном микроскопе.

У даній роботі методом анодного електрохімічного травління була отримана періодична пориста структура напівпровідника GaAs (001) n-типу провідності. Поперечний переріз отриманої структури вивчався на скануючому електронному мікроскопі.

In this study, the method of anodic electrochemical etching was received periodic porous structure semiconductor GaAs (001) n-type conductivity. The cross section of the resultant structure was studied by SEM.

Показати повний запис статті