Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Дяденчук, А.Ф. | |
| dc.contributor.author | Кидалов, В.В. | |
| dc.date.accessioned | 2016-11-05T21:27:43Z | |
| dc.date.available | 2016-11-05T21:27:43Z | |
| dc.date.issued | 2014 | |
| dc.identifier.citation | Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления / А.Ф. Дяденчук, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 484-486. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 1999-8074 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108493 | |
| dc.description.abstract | В данной работе методом анодного электрохимического травления была получена периодическая пористая структура полупроводника GaAs (001) n-типа проводимости. Поперечное сечение полученной структуры изучалось на сканирующем электронном микроскопе. | uk_UA |
| dc.description.abstract | У даній роботі методом анодного електрохімічного травління була отримана періодична пориста структура напівпровідника GaAs (001) n-типу провідності. Поперечний переріз отриманої структури вивчався на скануючому електронному мікроскопі. | uk_UA |
| dc.description.abstract | In this study, the method of anodic electrochemical etching was received periodic porous structure semiconductor GaAs (001) n-type conductivity. The cross section of the resultant structure was studied by SEM. | uk_UA |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Физическая инженерия поверхности | |
| dc.title | Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления | uk_UA |
| dc.title.alternative | Отримання періодичних шарів GaAs методом електрохімічного травлення | uk_UA |
| dc.title.alternative | Obtaining periodic layers GaAs by electrochemical etching | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.identifier.udc | 539.217; 544.723 |
