Вплив термічного відпалу на властивості моноселеніду індію та галію, легованого кобальтом і селенідом ванадію

Abstract

Досліджено частотні спектри імпедансу та діелектричної проникності легованих кобальтом та селенідом ванадію кристалів InSe та GaSe. Встановлено сильну частотну залежність діелектричної проникності для легованих кристалів GaSe<Co>. Показано вплив термічного відпалу у вакуумі на електричні властивості кристалів InSe та GaSe легованих кобальтом і селенідом ванадію та виявлено залежність зміни електричного опору легованих кристалів від температури термообробки.

Исследованы частотные спектры импеданса и диэлектрической проницаемости легированных кобальтом и селенидом ванадия кристаллов InSe и GaSe. Установлена сильная частотная зависимость диэлектрической проницаемости для легированных кристаллов GaSe <Co>. Показано влияние термического отжига в вакууме на электрические свойства кристаллов InSe и GaSe легированных кобальтом и селенидом ванадия, выявлена зависимость изменения сопротивления легированных кристаллов от температуры термообработки.

The spectral dependences of the impedance and dielectric susceptibility of the InSe and GaSe crystals doped by cobalt and vanadium selenide were investigated. The strong frequency dependence of the dielectric susceptibility of the doped GaSe<Co> crystals was established. We have shown the effect of annealing in vacuum on electrical properties of the InSe and GaSe crystals doped by cobalt and vanadium selenide as well as the dependence of the electrical resistance of the doped crystals vs. the annealing temperature.