Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Accurate numerical modelling the GaAs MESFET current-voltage characteristics
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2004, том 7
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2004, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Accurate numerical modelling the GaAs MESFET current-voltage characteristics
Інший ID:
PACS: 85.30.Tv
Посилання:
Accurate numerical modelling the GaAs MESFET current-voltage characteristics / N. Merabtine, S. Khemissi, M. Zaabat, M. Belgat, C. Kenzai // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 4. — С. 389-394. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.
Дата:
2004
Переглядів:
902
Завантажень:
529
Анотація:
In this paper, we present a computing model of the current-voltage (I-V) characteristics of a gallium arsenide Schottky barrier field effect transistor called GaAs MESFET. This physical model is based on the two-dimensional analysis of the Poisson equation in the active region under the gate. In this frame, we elaborated a simulation software based on analysis of expressions that we have previously set up [1-3], the obtained theoretical results are discussed and compared to the experimental ones.
