Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003, № 6 за назвою

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003, № 6 за назвою

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Брайко, Г.И.; Винник, Д.М.; Ижнин, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Рассматриваются особенности разработки акустооптических модуляторов, применяемых в системах спектрального анализа радиосигналов, работающих в диапазоне частот 1-2 ГГц. Изготовлены акустооптические модуляторы, работающие в ...
  • Сидоренко, В.П.; Кизяк, А.Ю.; Николаенко, Ю.Е. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Рассмотрено влияние микродефектов, а также примесей кислорода и углерода в кремниевой подложке на пробивное напряжение неуправляемого n⁺⁺-p⁺-перехода. Кратко рассмотрен механизм влияния примеси кислорода на тип пробоя. ...
  • Зайков, В.П.; Моисеев, В.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Рассмотрен циклический режим работы термоэлектрического охлаждающего устройства (ТЭУ) и определена взаимосвязь показателей надежности ТЭУ и основных значимых параметров. Полученные соотношения позволяют оценить влияние ...
  • Мухоед, Н.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Предложена базовая схема построения двухосного мультисенсорного инерциального датчика (МИД), позволяющего одновременно измерять переносные линейное ускорение и угловую скорость по двум осям в связанной с летательным аппаратом ...
  • Марончук, И.Е.; Курак, В.В.; Андронова, Е.В.; Баганов, Е.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Рассмотрены особенности выращивания гетероструктур GaSb/InAs из жидкой фазы. Предложен модифицированный метод импульсного охлаждения раствора-расплава, позволяющий избежать растворения подложки InAs при контакте с неравновесной ...
  • Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
  • Кондрик, А.И.; Ковтун, Г.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения ...
  • Дружинин, А.А.; Марьямова, И.И.; Матвиенко, С.Н.; Хорвенко, Ю.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Исследованы образцы поликремния р-типа на диэлектрических подложках в диапазоне температур 4,2-300 К и магнитных полях до 14 Тл, а также влияние деформации на их сопротивление. Показано, что слаболегированные нерекристаллизованные ...
  • Николаенко, Ю.Е.; Кравец, В.Ю.; Грабовский, В.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Приведены результаты анализа температурного поля накопителя на жестких магнитных дисках Maxtor Diamond Max Plus 9, 60 GB ATA/133 HDD в шести типичных режимах роботы. Установлено, что во всех исследованных режимах наиболее ...
  • Дунаенко, А.Х.; Фотий, В.Д.; Ащеулов, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Камера тепла и холода (КТХ) предназначена для измерения фотоэлектрических параметров (ФЭП) и испытаний на надежность изделий фотоэлектронной техники в диапазоне температур от -60 до +100°С. Конструкция КТХ обеспечивает ...
  • Полтавцев, Ю.Г.; Вирченко, П.Т.; Костюк, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Методом радиоактивных изотопов исследована десорбция катионов (Na¹⁺, Fe³⁺, Cu2⁺, Ag¹⁺) и атомов (Au) металлов и анионов S²⁻ и Cl¹⁻ с поверхности кремниевых пластин КДБ-10 ориентации (100) и (110) при их обработке при 70°С ...
  • Золотаревский, В.И.; Самотовка, Л.И.; Мазалецкий, Ю.Д.; Балай, Б.А.; Товмач, Е.С.; Вощинкин, А.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Представлены блок-схема и функциональная схема разработанной КМОП ИС, а также электрическая схема собственно генератора. Приведена методика расчета собственно генератора для установления симметрии его рабочей точки и ...
  • Викулин, И.М.; Ильин, С.В.; Мингалев, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Предложена схема сенсора, содержащего генератор на однопереходном транзисторе с чувствительным элементом, ток через который зависит от определенного внешнего воздействия - температуры, давления, радиации и т. д. Изменение ...
  • Емцев, П.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Рассмотрены вопросы моделирования транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT). Изложены требования к модели НЕМТ. Описаны наиболее распространенные типы моделей: малосигнальные, шумовые, нелинейные и распределенные. ...
  • Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
  • Мокрицкий, В.А.; Гаркавенко, А.С.; Зубарев, В.В.; Ленков, С.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Выполнено экспериментальное исследование возможности получения слоев с дырочной проводимостью в монокристаллах CdS и GaAs с помощью радиационного легирования. Для этого использован моноэнергетический поток быстрых нейтронов ...
  • Ащеулов, А.А.; Гуцул, И.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Решено двухмерное неоднородное уравнение теплопроводности с учетом оптических свойств анизотропной пластины и закона Бугера-Ламберта. Результаты проведенных исследований позволили уточнить прочностные и надежностные ...
  • Иващук, А.В.; Босый, В.И.; Ковальчук, В.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Приведены результаты оптимизации конструкции и технологии изготовления СВЧ полевых транзисторов средней мощности с рабочей частотой в диапазоне 18-36 ГГц на эпитаксиальных структурах GaAs. Выходная мощность транзисторов ...
  • Круковский, С.И.; Николаенко, Ю.Е. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Cообщается об изготовлении и исследовании тандемных солнечных элементов на основе GaAs-InGaAs-AlGaAs с активной площадью 0,93 см². Туннельный переход применяется для соединения между собой верхней (AlGaAs) и нижней (InGaAs) ...
  • Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис