Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
Інші назви:
Дослідження властивостей напівпровідникових матеріалів для детекторів іонізуючих випромінювань
Тема:
Материалы для микроэлектроники
УДК:
621.315.592:546.28
Посилання:
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
Дата:
2003
Переглядів:
777
Завантажень:
419
Анотація:
Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения СdTe (CСdTe) при температуре Т=300 К. Установлено, что увеличение запрещенной зоны Eg0 (при Т=0) от 1,6 эВ (CСdTe=1) до 1,8 эВ (CСdTe"0,8) приводит к увеличению ρ примерно на два порядка. При сохранении исходного состава фоновых примесей дальнейшее увеличение Eg0 вплоть до 2,1 эВ (соответствующее CСdTe"0,5) существенно не влияет на величину Eg0.
