Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»

Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»

Кулинич, О.А. ; Яцунский, И.Р. ; Ештокина, Т.Ю. ; Брусенская, Г.И. ; Марчук, И.А.

Інші назви: Фотолюмінесцент ний метод дослідження пластичної деформації на границі поділу «SiO₂—Si»
Photoluminescent method for studying the plastic deformation at the boudary of «SiO₂—Si»

Тема: Материалы электроники

УДК: 537.311.33:622.382.33

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51670

Посилання: Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» / О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, Т.Ю. Ештокина, Г.И. Брусенская, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 47-50. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Дата: 2012

Завантажень: 690

Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»

Анотація:

Показана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния — кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом.

Показано можливість використання методу фотолюмінесценції для вивчення механізмів пластичної деформації на границі «оксид кремнію — кремній» в процесі отримання шарів наноструктурованого кремнію деформаційних методом.

The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO₂—Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation.

Показати повний запис статті