Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012, № 2 за назвою

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012, № 2 за назвою

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Performance improvement of silicon solar cells by nanoporous silicon coating 
    Dzhafarov, T.D.; Aslanov, S.S.; Ragimov, S.H.; Sadigov, M.S.; Nabiyeva, A.F.; Aydin Yuksel, S. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    In the present paper the method is shown to improve the photovoltaic parameters of screenprinted silicon solar cells by nanoporous silicon film formation on the frontal surface of the cell using the electrochemical etching. ...
  • Безындуктивные генераторы хаотических колебаний по схеме Чуа 
    Элияшив, О.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Предложены два альтернативных варианта реализации колебательного звена, которые обеспечивают замену индуктивности в генераторах хаоса. Показано, что использование безындуктивных топологий позволяет избежать влияния разброса ...
  • Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста 
    Наливайко, О.Ю.; Турцевич, А.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследовано влияние условии осаждения на состав пленок полукристаллического кремния, легированного в процессе роста кислородом (Г/КЛК). Разработана адсорбционно-кинетическая модель процесса осаждения ПКЛК с использованием ...
  • Матричный светодиодный излучатель для фотодинамической терапии 
    Денисов, Н.А.; Редчук, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Предложен опытный образец излучателя для фотодинамической терапии с использованием фотосенсибилизатора Гиперфлав. Аппарат не имеет аналогов в Украине, по ожидаемым техническим характеристикам не уступает зарубежным образцам ...
  • Новые книги 
    Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
  • Оптимизация структуры многоячейкового транзисторного преобразователя 
    Бондаренко, Ю.В.; Бондаренко, А.Ф.; Сафронов, П.С.; Сидорец, В.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Для оптимизации структуры многоячейкового транзисторного преобразователя с комбинированным управлением предложено использовать аддитивный критерий, учитывающий такие частные критерии, как энергоэффективность, стоимость и ...
  • Памятка автору журнала "ТКЭА" 
    Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
  • Пассивная испарительно-конденсационная система охлаждения лазера 
    Гершуни, А.Н.; Нищик, А.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Разработана специализированная тепловая труба для обеспечения теплового режима активного элемента оптического квантового генератора (лазера) в условиях теплоотвода излучением. Показано, что при мощности имитатора ...
  • Подавление синхронной помехи в ЯКР с модуляцией Зеемана 
    Политанский, Л.Ф.; Самила, А.П.; Хандожко, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Рассмотрены принципы частотной модуляции и модуляции Зеемана в ядерном квадрупольном резонансе и показаны преимущества последней. Предложен метод устранения синхронной помехи, вызываемой переключением магнитного поля. ...
  • Полуактивный радиочастотный датчик контроля расхода электроэнергии 
    Лищинская, Л.Б.; Лазарев, А.А.; Барабан, М.В.; Филинюк, Н.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Разработан и исследован датчик расхода электроэнергии на базе транзисторного динамического негатрона. В датчике отсутствуют механические части и электрический контакт с электрической сетью, он позволяет осуществлять контроль ...
  • Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии 
    Вакив, Н.М.; Круковский, С.И.; Сукач, А.В.; Тетёркин, В.В.; Мрыхин, И.А.; Михащук, Ю.С.; Круковский, Р.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Получены эпитаксиальные гетероструктуры р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, в которых металлургическая граница совпадает с электрической. Это достигается выращиванием дополнительного буферного слоя n-InP и уменьшением времени выращивания ...
  • Список рецензентов номера 
    Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
  • Титульные страницы и содержание 
    Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
  • Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» 
    Кулинич, О.А.; Яцунский, И.Р.; Ештокина, Т.Ю.; Брусенская, Г.И.; Марчук, И.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Показана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния — кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом.

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис