Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Фізико-технічні та математичні науки за темою "Функциональная микро- и наноэлектроника"

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Фізико-технічні та математичні науки за темою "Функциональная микро- и наноэлектроника"

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента 
    Ащеулов, А.А.; Гуцул, И.В.; Фотий, В.Д. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
    Представлена конструкция устройства, предназначенного для регистрации излучения. Показана перспективность его использования в качестве безмодуляционного неселективного координатно-чувствительного приемника.
  • Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током 
    Добровольский, Ю.Г.; Ащеулов, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Кольцевая металлизация обратной стороны кристалла p–i–n-фотодиода на основе высокоомного кремния позволяет уменьшить темновой ток на порядок, при этом потери токовой монохроматической чувствительности на длине волны 1,06 ...
  • Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод 
    Добровольский, Ю.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
    Предложенная конструкция фотодиода, снабженного термоэлектрическим модулем Пельтье, может быть использована при разработке фотодиодов, предназначенных для работы в условиях повышенных температур.
  • Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния 
    Попов, В.М.; Клименко, А.С.; Поканевич, А.П.; Шустов, Ю.М.; Гаврилюк, И.И.; Панин, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
    Исследованы электрически активные дефекты с локально повышенной проводимостью p-n-перехода и световой эмиссией. Показано, что по их концентрации можно контролировать качество солнечных батарей в процессе изготовления.
  • Методика и установка для определения теплопроводности полупроводников с использованием лучистой энергии 
    Гурбанниязов, М.А.; Курбанов, М.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Предложен способ определения коэффициента теплопроводности твердых тел в нестационарном режиме, методическая погрешность которого составляет не более 7%.
  • Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода 
    Бутенко, В.К.; Докторович, И.В.; Годованюк, В.Н.; Рюхтин, В.В.; Юрьев, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Рассмотрены проблемы, возникающие при определении эффективной площади фото чувствительного элемента фотодиодов по стандартизованной методике. Приведена методика с улучшенными метрологическими возможностями.
  • Методы минимизации энергопотребления при проектировании КМОП БИС 
    Белоус, А.И.; Мурашко, И.А.; Сякерский, В.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
    Представлены основные методы, позволяющие уменьшить величину рассеиваемой мощности на этапах проектирования КМОП БИС. Приведена классификация источников рассеиваемой мощности.
  • Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом 
    Ёдгорова, Д.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
    Вольт-амперные характеристики с неявно выраженным насыщением тока стока обусловлены постепенной частичной рекомбинацией носителей у истоковой части канала.
  • Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора 
    Ёдгорова, Д.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
    Указаны пути выбора оптимальных рабочих напряжений, при которых полевой фототранзистор с управляющим р-n-переходом будет обеспечивать высокую фоточувствительность.
  • Микрополосковые электромагнитные кристаллы с низкоимпедансными неоднородностями 
    Назарько, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Предложены микрополосковые электромагнитные кристаллы на основе низкоимпедансных неоднородностей. Показано, что низкоимпедансные неоднородности обеспечивают существенное улучшение развязки сигналов по сравнению с традиционными ...
  • Микросборка на кремниевой плате для акселерометра 
    Спирин, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)
    Рассмотрена конструкция и технология микросборки для акселерометра, выполненной на кремниевой плате с тремя уровнями коммутации и тонкопленочными резисторами на обеих ее поверхностях.
  • Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ 
    Ижнин, И.И.; Вакив, Н.М.; Ижнин, А.И.; Сыворотка, И.М.; Убизский, С.Б. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
    Разработан макетный образец монолитного твердотельного микрочипового лазера с пассивной модуляцией добротности па основе Nd:АИГ/Сr⁺⁴:АИГ с применением метода жидкофазной эпитаксии.
  • Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура 
    Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А.; Гиясова, Ф.А.; Назаров, Ж.Т. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
    Приведены особенности технологии изготовления и фотоэлектрических характеристик обратновключенной n–p–m-структуры на основе арсенида галлия.
  • Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности 
    Глауберман, М.А.; Егоров, В.В.; Канищева Н.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)
    Рассмотрены модели магнитотранзисторов, которые не основываются на решении двумерного уравнения непрерывности для инжектированных носителей. Показано, что несоответствие этих моделей точной теории снимается при достаточно ...
  • Модель алмазного транзистора 
    Алтухов, А.А.; Зяблюк, К.Н.; Митягин, А.Ю.; Талипов, Н.Х.; Чучева, Г.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Модель плавного затвора позволяет рассчитать характеристики полевых алмазных СВЧ-транзисторов по электрофизическим параметрам алмазной структуры с δ-легированным слоем и по геометрическим параметрам элементов транзистора.
  • Модель линии передачи для наноэлектроники 
    Нелин, Е.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
    Предложена новая модель для решения квантово-механических задач. В рамках этой модели получены аналитические выражения для резонансных параметров и характеристик типичных барьерных структур наноэлектроники.
  • Модуляционная поляриметрия полного внутреннего отражения, нарушенного алмазоподобными пленками 
    Максименко, Л.С.; Мищук, О.Н.; Матяш, И.Е.; Сердега, Б.К.; Костин, Е.Г.; Полозов, Б.П.; Федорович, О.А.; Савинков, Г.К. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)
    Исследованы алмазоподобные пленки, специально приготовленные при различных технологических условиях. Введен параметр ρ, называемый поляризационной разностью. Из спектральных характеристик параметра ρ обнаружено, что ...
  • Мощные излучающие диоды инфракрасного диапазона 
    Коган, Л.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Представлены разработанные в НПЦ ОЭП «ОПТЭЛ» мощные ИК-диоды с длиной волны излучения 805±10, 870±20 и 940±10 нм. Сила излучения узконаправленных диодов— до 4 Вт/ср в непрерывном режиме и до 100 Вт/ср в импульсном. Мощность ...
  • Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе 
    Каримов, А.В.; Джураев, Д.Р.; Ёдгорова, Д.М.; Рахматов, А.З.; Абдулхаев, О.А.; Каманов, Б.М.; Тураев, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Установленная взаимосвязь между током стабилизации и внешним сопротивлением, соединяющим исток с затвором, представляет интерес при разработке источников и ограничителей тока.
  • Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры 
    Ёдгорова, Д.М.; Каримов, А.В.; Гиясова, Ф.А.; Саидова, Р.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
    Исследованы характеристики двухсторонне чувствительных структур при воздействии излучения, определяемого областью собственного поглощения базовых областей. Структуры представляют интерес как бесшумные фотоприемники для ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис