Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
Репозиторій DSpace/Manakin
Вхід
|
Допомога
Статистика
Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
→
Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009
→
Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009, № 6
→
Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
Каримов, А.В.
;
Ёдгорова, Д.М.
;
Абдулхаев, О.А.
;
Гиясова, Ф.А.
;
Назаров, Ж.Т.
Інші назви:
Багатофункціональна гомоперехідна аренід-галієва n-p-m-структура
Multifunctional homojunction gallium arsenide n-p-m-structure
Тема:
Функциональная микро- и наноэлектроника
URI:
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52327
Посилання:
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, Ф.А. Гиясова, Ж.Т. Назаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 31-34. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
Дата:
2009
Переглядів:
879
Завантажень:
612
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
Анотація:
Приведены особенности технологии изготовления и фотоэлектрических характеристик обратновключенной n–p–m-структуры на основе арсенида галлия.
Показати повний запис статті
Файли у цій статті
Name:
06-Karimov.pdf
Розмір:
125.9Кб
Формат:
PDF
Перегляд/
Відкрити
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009, № 6
[16]
Пошук
Пошук
Ця колекція
Розширений пошук
Перегляд
Вся бібліотека
Розділи і Колекції
За датою випуску
Автори
Назви
Теми
Колекція
За датою випуску
Автори
Назви
Теми
Мій обліковий запис
Логін
Реєстрація