Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
Інші назви:
Механізм насичення струму стоку польового транзистора з р–n-переходом
Mechanism of drain current's saturation in the field transistor with p-n-junction
Mechanism of drain current's saturation in the field transistor with p-n-junction
Тема:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Посилання:
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 58-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
Дата:
2006
Переглядів:
870
Завантажень:
982
Анотація:
Вольт-амперные характеристики с неявно выраженным насыщением тока стока обусловлены постепенной частичной рекомбинацией носителей у истоковой части канала.
