Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Photoelectric properties of ₂O₃-pGaSe-pInSe cascade heterostructures
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2002, том 5
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2002, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Photoelectric properties of ₂O₃-pGaSe-pInSe cascade heterostructures
Інший ID:
PACS: 72.40, 74.40
Посилання:
Photoelectric properties of ₂O₃-pGaSe-pInSe cascade heterostructures / V.P. Savchyn, J.M. Stakhira, Ya.M. Fiyala, V.B. Furtak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 2. — С. 176-179. — Бібліогр.: 23 назв. — англ.
Дата:
2002
Переглядів:
627
Завантажень:
334
Анотація:
Cascade heterostructure of nGa₂O₃-pGaSe-pInSe was created, and a corresponding band energy diagram was built. Electrical and photoelectric properties of this structure were investigated. Due to isotype pGaSe-pInSe heterojunction the photosensitivity spectrum of nGa₂O₃-pGaSe-pInSe heterostructure extends up to 1.2 eV in IR range as referred to the photosensitivity spectrum of anisotype nGa₂O₃-pGaSe heterojunction.
