Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2002, том 5
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2002, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
Інший ID:
PACS: 73.40.K, 73.40.C
Посилання:
Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures / R.V. Konakova, V.V. Milenin, M.A. Stovpovoi // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 2. — С. 180-182. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.
Дата:
2002
Переглядів:
651
Завантажень:
353
Анотація:
The work deals with study and optimization of the technological parameters of ohmic contacts for HEMTs. It is shown that the depth of fusion front penetration into semiconductor is the main factor that determines ohmic properties of contact junctions.
