Показати простий запис статті

dc.contributor.author Litovchenko, P.G.
dc.contributor.author Moss, R.
dc.contributor.author Stecher-Rasmussen, F.
dc.contributor.author Appelman, K.
dc.contributor.author Barabash, L.I.
dc.contributor.author Kibkalo, T.I.
dc.contributor.author Lastovetsky, V.F.
dc.contributor.author Litovchenko, A.P.
dc.contributor.author Pinkovska, M.B.
dc.date.accessioned 2017-06-03T04:58:38Z
dc.date.available 2017-06-03T04:58:38Z
dc.date.issued 1999
dc.identifier.citation Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons / P.G. Litovchenko, R. Moss, F. Stecher-Rasmussen, K. Appelman, L.I. Barabash, T.I. Kibkalo, V.F. Lastovetsky, A.P. Litovchenko, M.B. Pinkovska // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 2. — С. 90-91. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS 29.40.Wk
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119067
dc.description.abstract Minimum energy of neutron to displace atoms in silicon crystals are equal to 200 eV. Due to this fact testing our p-i-n diodes under irradiation by the epithermal neutrons was carried out. The more advanced p-i-n diodes on the base of high purity silicon were used at present work, and, as a result, we have obtained considerably more sensitive sensors for more wide range of neutron doses. The sensitivity of sensors is 0.14 V/Gy for average neutron energy of 24 keV. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Icon
Name: 17-Litovchenko.pdf
Розмір: 119.9Кб
Формат: PDF
Перегляд/Відкрити

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис