Показати простий запис статті

dc.contributor.author Vakulenko, O.V.
dc.contributor.author Kondratenko, S.V.
dc.contributor.author Shutov, B.M.
dc.date.accessioned 2017-06-03T04:58:04Z
dc.date.available 2017-06-03T04:58:04Z
dc.date.issued 1999
dc.identifier.citation Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon / O.V. Vakulenko, S.V. Kondratenko, B.M. Shutov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 2. — С. 88-89. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS 72.80.Ng, s5.11
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119066
dc.description.abstract The porous silicon (PS) current-voltage characteristic (CVC) has measured in transverse and longitudinal applied electric field. The obtained CVC has a varistor-like shape. Besides the practical application this confirms the PS grain structure whose influence is discussed in analizing the mechanism of the visible luminescence in PS. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис