Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatmentянном значении контактных касательных напряжений Украї

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2009, том 12
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2009, № 3
→
Переглянути статтю

Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment

Konakova, R.V. ; Kladko, V.P. ; Lytvyn, O.S. ; Okhrimenko, O.B. ; Konoplev, B.G. ; Svetlichnyi, A.M. ; Lissotschenko, V.N.

Інший ID: PACS 71.20.Nr, 78.40.Fy

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118876

Посилання: Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment / R.V. Konakova, V.P. Kladko, O.S. Lytvyn, O.B. Okhrimenko, B.G. Konoplev, A.M. Svetlichnyi, V.N. Lissotschenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 3. — С. 284-286. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Дата: 2009

Завантажень: 340

Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment

Анотація:

We studied the effect of laser treatment on the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structures. It is shown that laser treatment causes appearance of an additional band in their transmission spectra as well as smearing of grain structure at their surface.

Показати повний запис статті