Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2009, том 12
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2009, № 3
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Konakova, R.V.
dc.contributor.author	Kladko, V.P.
dc.contributor.author	Lytvyn, O.S.
dc.contributor.author	Okhrimenko, O.B.
dc.contributor.author	Konoplev, B.G.
dc.contributor.author	Svetlichnyi, A.M.
dc.contributor.author	Lissotschenko, V.N.
dc.date.accessioned	2017-05-31T19:49:39Z
dc.date.available	2017-05-31T19:49:39Z
dc.date.issued	2009
dc.identifier.citation	Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment / R.V. Konakova, V.P. Kladko, O.S. Lytvyn, O.B. Okhrimenko, B.G. Konoplev, A.M. Svetlichnyi, V.N. Lissotschenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 3. — С. 284-286. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1560-8034
dc.identifier.other	PACS 71.20.Nr, 78.40.Fy
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118876
dc.description.abstract	We studied the effect of laser treatment on the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structures. It is shown that laser treatment causes appearance of an additional band in their transmission spectra as well as smearing of grain structure at their surface.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title	Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA