Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment
Репозиторій DSpace/Manakin
Вхід
|
Допомога
Статистика
Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2009, том 12
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2009, № 3
→
Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment
Konakova, R.V.
;
Kladko, V.P.
;
Lytvyn, O.S.
;
Okhrimenko, O.B.
;
Konoplev, B.G.
;
Svetlichnyi, A.M.
;
Lissotschenko, V.N.
Інший ID:
PACS 71.20.Nr, 78.40.Fy
URI:
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118876
Посилання:
Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment / R.V. Konakova, V.P. Kladko, O.S. Lytvyn, O.B. Okhrimenko, B.G. Konoplev, A.M. Svetlichnyi, V.N. Lissotschenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 3. — С. 284-286. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.
Дата:
2009
Переглядів:
709
Завантажень:
339
Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment
Анотація:
We studied the effect of laser treatment on the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structures. It is shown that laser treatment causes appearance of an additional band in their transmission spectra as well as smearing of grain structure at their surface.
Показати повний запис статті
Файли у цій статті
Name:
14-Konakova.pdf
Розмір:
482.9Кб
Формат:
PDF
Перегляд/
Відкрити
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2009, № 3
[20]
Пошук
Пошук
Ця колекція
Розширений пошук
Перегляд
Вся бібліотека
Розділи і Колекції
За датою випуску
Автори
Назви
Теми
Колекція
За датою випуску
Автори
Назви
Теми
Мій обліковий запис
Логін
Реєстрація