Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Acoustic-emission method for controlling the defect-formation process in light-emitting structures

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Lyashenko, O.V.
dc.contributor.author Vlasenko, A.I.
dc.contributor.author Veleschuk, V.P.
dc.contributor.author Kisseluk, M.P.
dc.date.accessioned 2017-05-30T06:54:41Z
dc.date.available 2017-05-30T06:54:41Z
dc.date.issued 2010
dc.identifier.citation Acoustic-emission method for controlling the defect-formation process in light-emitting structures / O.V. Lyashenko, A.I. Vlasenko, V.P. Veleschuk, M.P. Kisseluk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 3. — С. 326-329. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS 43.35.+d, 43.50.+y, 72.70.+m, 73.50.TD, 78.60.Fi, 78.66.Fd
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118399
dc.description.abstract Сomplex researches of light-emitting structures based on А₃В₅ compounds have been carried out. It has been shown that at current loading exceeding the acousticemission threshold, there arises a change in the electroluminescence intensity, fluctuation of current and light. It has been ascertained that natural ageing leads to a general improvement of some practically important parameters of light-emitting structures, in particular to increase of maximal admissible currents and reliability. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Acoustic-emission method for controlling the defect-formation process in light-emitting structures uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис