Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Физика низких температур
→
Физика низких температур, 2004, том 30
→
Физика низких температур, 2004, № 11
→
Перегляд Физика низких температур, 2004, № 11 за датою випуску

Перегляд Физика низких температур, 2004, № 11 за датою випуску

Результати 1-18 з 18

Образование двойной квантовой ямы в самосогласованной широкой квантовой яме p-типа

Альшанский, Г.А.; Якунин, М.В. (Физика низких температур, 2004)

Исследован процесс формирования самосогласованной двойной квантовой ямы (ДКЯ) в широкой квантовой яме p-типа в присутствии одноосной деформации. Особенностью систем p-типа является структура валентной зоны, состоящей из ...
Электронные свойства и сверхпроводимость низкоразмерных углеродных структур

Кульбачинский, В.А. (Физика низких температур, 2004)

Изложены результаты исследований электронных свойств низкоразмерных структур, созданных на основе различных модификаций углерода. Рассматриваются эффект Шубникова— де Гааза в соединениях внедрения в графит (СВГ) акцепторного ...
Осцилляции проводимости двумерного электронного газа в присутствии микроволнового излучения

Патраков, А.Е.; Ляпилин, И.И. (Физика низких температур, 2004)

В рамках кинетического уравнения Больцмана рассмотрена проводимость двумерных электронов в присутствии микроволнового излучения в магнитных полях, где не проявляются обычные осцилляции Шубникова—де Гааза. Показано, что ...
Neutral and charged excitons in a CdTe-based quantum well

Gaj, J.A.; Kossacki, P.; Płochocka, P.; Maślana, W.; Cibert, J.; Tatarenko, S.; Radzewicz, C. (Физика низких температур, 2004)

We present a summary of our spectroscopic studies of the oscillator strength of transitions related to the formation of neutral and positively charged excitons in modulation p-doped CdTe-based quantum wells. The hole ...
Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов

Якунин, М.В.; Альшанский, Г.А.; Арапов, Ю.Г.; Неверов, В.Н.; Харус, Г.И.; Шелушинина, Н.Г.; Кузнецов, О.А.; де Виссер, А.; Пономаренко, Л. (Физика низких температур, 2004)

Показано, что в периодической системе квантовых ям Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix p-типа при ширине слоев Ge более ~30 нм дырочный газ в каждом слое Ge разделяется на два двумерных подслоя, сосредоточенных у противоположных ...
Parallel magnetotransport in multiple quantum well structures

Sheregii, E.M.; Ploch, D.; Marchewka, M.; Tomaka, G.; Kolek, A.; Stadler, A.; Mleczko, K.; Strupiński, W.; Jasik, A.; Jakiela, R. (Физика низких температур, 2004)

The results of investigations of parallel magnetotransport in AlGaAs/GaAs and InGaAs/InAlAs/InP multiple quantum wells structures (MQW’s) are presented in this paper. The MQW’s were obtained by metalorganic vapour phase ...
Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками

Двуреченский, А.В.; Никифоров, А.И.; Пчеляков, О.П.; Тийс, С.А.; Якимов, А.И. (Физика низких температур, 2004)

Изложены результаты исследования процессов получения и определения электрических и оптических характеристик массивов наноостровков Ge в Si (искусственных «атомов») с дискретным энергетическим спектром, который проявляется ...
Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик

Арапов, Ю.Г.; Неверов, В.Н.; Харус, Г.И.; Шелушинина, Н.Г.; Якунин, М.В.; Кузнецов, О.А.; Пономаренко, Л.; де Виссер, А. (Физика низких температур, 2004)

В двумерной (2D) дырочной системе (многослойные гетероструктуры p-Ge/Ge₁₋xSix) с проводимостью σ ≈ e²/h при низких температурах (T ≈1,5 К) при понижении температуры наблюдается переход от диэлектрического (dσ/dT > 0) ...
О природе анизотропии сопротивления монокристаллов Nd₂₋хCexCuO₄₊δ с разным содержанием церия и кислорода

Пономарев, А.И.; Чарикова, Т.Б.; Игнатенков, А.Н.; Ташлыков, А.О.; Иванов, А.А. (Физика низких температур, 2004)

Приведены результаты исследования температурных зависимостей сопротивления и коэффициента анизотропии сопротивления в нормальной фазе монокристаллических пленок Nd₂₋хCexCuO₄₊δ с разной степенью легирования церием x и ...
Mechanisms of radiative and nonradiative recombination in ZnSe:Cr and ZnSe:Fe

Godlewski, M.; Surma, M.; Ivanov, V.Yu.; Surkova, T.P. (Физика низких температур, 2004)

Possible applications of ZnSe:Cr in optoelectronics are discussed. It is shown that 2+ to 1+ photo-ionization of chromium results in efficient pumping of Cr²⁺ intrashell emission and in energy up-conversion from green ...
Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках

Окулов, В.И. (Физика низких температур, 2004)

Дана обобщенная формулировка подхода Фриделя и развито теоретическое описание эффектов резонансного рассеяния электронов проводимости на донорных примесях в полупроводниках. Детально рассмотрены стабилизация электронной ...
Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe

Несмелова, И.М.; Рыжков, В.Н.; Ибрагимова, М.И.; Петухов, В.Ю. (Физика низких температур, 2004)

Проведено комплексное исследование электрофизических свойств полумагнитного тройного твердого раствора Hg₁₋xMnxTe, альтернативного материалу Hg₁₋xCdxTe. Изучены процессы рассеяния носителей заряда, оптические, ...
Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga)

Акимов, Б.А.; Прядун, В.В.; Рябова, Л.И.; Слынько, Е.И.; Хохлов, Д.Р.; Штанов, В.И. (Физика низких температур, 2004)

Импеданс монокристаллических образцов PbTe(Ga) и Pb₁₋xGexTe(Ga) (0 ≤x ≤0,095) исследован в диапазоне частот от 10² до 10⁶ Гц в интервале температур 4,2–300 К. На температурных зависимостях емкости во всех исследованных ...
Ультразвуковые исследования фазового перехода в ZnSe:Ni

Гудков, В.В.; Лончаков, А.Т.; Жевстовских, И.В.; Соколов, В.И.; Груздев, Н.Б.; Петров, С.Б. (Физика низких температур, 2004)

Ультразвуковые эксперименты, выполненные на кристаллах ZnSe и ZnSe:Ni с концентрацией примеси 5,5·10¹⁹ cм⁻³, выявили предпереходные явления при температурах, значительно превышающих температуру структурного перехода (Tc ...
Динамика фазового перехода диэлектрик–проводник, инициированного высоким давлением в галогенидах аммония

Тихомирова, Г.В.; Бабушкин, А.Н. (Физика низких температур, 2004)

Проведено сравнительное исследование влияния высоких давлений (15–50 ГПа) на проводимость галогенидов аммония NH₄X (X = F, Cl, Br) при температурах 77 К и выше. Обнаружен фазовый переход, возникающий под действием высокого ...
Statistical strained-tetrahedron model of local ternary zinc blende crystal structures

Robouch, B.V.; Sheregii, E.M.; Kisiel, A. (Физика низких температур, 2004)

The statistical strained-tetrahedron model was developed to overcome two common assumptions of previous models: 1) rigid undistorted ion sublattice of regular tetrahedra throughout all five configurations and 2) random ...
Вэйвлет анализ и его применение в туннельной и рентгеновской спектроскопии

Чукалина, М.В.; Функе, Х.; Дубровский, Ю.В. (Физика низких температур, 2004)

Демонстрируются возможности и ограничения вэйвлет анализа на примере двух практических приложений: исследования сигналов магнитотуннельной и дальней тонкой структуры рентгеновских спектров поглощения урана. Дано краткое ...
XV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников

Окулов, В.И. (Физика низких температур, 2004)

Результати 1-18 з 18

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека
Колекція

Перегляд Физика низких температур, 2004, № 11 за датою випуску

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Физика низких температур, 2004, № 11 за датою випуску

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Колекція

Мій обліковий запис