Импеданс монокристаллических образцов PbTe(Ga) и Pb₁₋xGexTe(Ga) (0 ≤x ≤0,095) исследован
в диапазоне частот от 10² до 10⁶ Гц в интервале температур 4,2–300 К. На температурных
зависимостях емкости во всех исследованных образцах Pb₁₋xGexTe(Ga) наблюдалось
два типа особенностей. Это ярко выраженный пик при температуре Т = Тp, обусловленный диэлектрической
аномалией при сегнетоэлектрическом фазовом переходе, а также характеризующееся
сильной частотной зависимостью возрастание емкости в области температур Т < 100 К.
Амплитуда низкотемпературного эффекта монотонно уменьшается с ростом частоты f, и при
f > 10⁵ Гц эффект практически исчезает. Такое поведение емкости при столь низких частотах
можно ассоциировать с процессами перезарядки в примесной подсистеме. Экспериментально
определенное значение Тp оказалось существенно выше, чем характерные температуры появления
долговременных релаксационных процессов, в частности задержанной фотопроводимости.
Следовательно, изменение зарядовых состояний в примесной подсистеме не сопровождается
диэлектрическими аномалиями кристаллической решетки в целом, и возможная перестройка
решетки имеет локальный характер.
Імпеданс монокристалічних зразків PbTe(Ga) та Pb₁₋xGexTe(Ga) (0 ≤ x ≤ 0,095) досліджено
у діапазоні частот від 10² до 10⁶ Гц в інтервалі температур 4,2–300 К. На температурних залежностях
ємності на усіх досліджених зразках Pb₁₋xGexTe(Ga) спостерігалося два типи особливостей.
Це яскраво виражений пік при температурі Т = Тp, обумовлений діелектричною
аномалією при сегнетоелектричному фазовому переході, а також зростання ємності, якe характеризується сильною частотною залежністю в області температур Т < 100 К. Амплітуда
низькотемпературного ефекту монотонно зменшується з ростом частоти f, і при f > 10⁵ Гц
ефект практично зникає. Таку поведінку ємності при настільки низьких частотах можливо
асоціювати з процесами перезарядження в домішковій підсистемі. Експериментально визначене
значення Тp виявилося істотно вище, ніж характерні температури появи довгочасових релаксаційних процесів, зокрема затриманої фотопровідності. Отже, зміна зарядових станів у
домішковій підсистемі не супроводжується діелектричними аномаліями кристалічних граток у
цілому, і можлива перебудова гратки має локальний характер.
The impedance of PbTe(Ga) and
Pb₁₋xGexTe(Ga) single crystals (0 ≤ x ≤ 0.095)
is studied in a 10² - 10⁶ Hz frequency at temperatures
varied from 4.2 to 300 K. The temperature
dependences of capacitance for the
Pb₁₋xGexTe(Ga) samples display two peculiarities.
These are a pronounced maximum at T = Tp
responsible for by the dielectric anomaly at the
ferroelectric phase transition and an increase in
capacitance at T < 100 K which shows a strong
frequency dependence. The low-temperature effect
amplitude decreases monotoneously with increasing
frequency, f, and at f > 10⁵ Hz the effect
almost disappears. The contribution to the
capacitance at such low frequences may be associated
with the recharging in the impurity subsystem.
The experimental value of Tp turned out
to be much higher than the characteristic temperatures
of the onset of long-term relaxation
processes, in particular, the delayed photo-conductivity.
Hence, the change of the charge states
in the impurity subsystem is not followed by the
dielectric anomalies of the whole crystal lattice,
and the rearrangement of the lattice is local.
