Перегляд за автором "Иващук, А.В."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников 
    Босый, В.И.; Иващук, А.В.; Ковальчук, В.Н.; Семашко, Е.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Представлен обзор опубликованных в последние годы результатов по созданию мощных СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN. Рассмотрены вопросы конструкции и технологии изготовления данных транзисторов, результаты ...
  • О необходимых условиях сходимости рядов Фурье 
    Задерей, П.В.; Иващук, А.В. (Український математичний журнал, 2011)
    Одержано необхiднi умови збiжностi в середньому кратних рядiв Фур’є iнтегровних функцiй.
  • Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях 
    Москалюк, В.А.; Тимофеев, В.И.; Иващук, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Предложен способ аналитического расчета времен релаксации концентрации, импульса и энергии для GaAs в сильных электрических полях для моделирования динамических процессов с помощью соответствующих уравнений баланса.
  • СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн 
    Иващук, А.В.; Босый, В.И.; Ковальчук, В.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Приведены результаты оптимизации конструкции и технологии изготовления СВЧ полевых транзисторов средней мощности с рабочей частотой в диапазоне 18-36 ГГц на эпитаксиальных структурах GaAs. Выходная мощность транзисторов ...
  • Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия 
    Иващук, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2000)
    Описано устройство для термоообработки полупроводниковых пластин, обеспечивающее быстрый нагрев и охлаждение образцов и создающее необходимые условия для равномерной рекристаллизации и улучшения морфологии омических контактов ...
  • Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника 
    Иващук, А.В.; Кохан В.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2000)
    Предложено устройство и технология обработки поверхности полупроводника в едином технологическом цикле с нанесением металлизации барьерных и омических контактов.