Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников

Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников

Босый, В.И. ; Иващук, А.В. ; Ковальчук, В.Н. ; Семашко, Е.М.

Інші назви: Power UHF transistors on the wide bandgap semiconductors

Тема: Твердотельная СВЧ-микроэлектроника

УДК: 621.382.323

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70641

Посилання: Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников / В.И. Босый, А.В. Иващук, В.Н. Ковальчук, Е.М. Семашко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 53-58. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.

Дата: 2003

Завантажень: 1940

Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников

Анотація:

Представлен обзор опубликованных в последние годы результатов по созданию мощных СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN. Рассмотрены вопросы конструкции и технологии изготовления данных транзисторов, результаты исследований влияния подложки на характеристики приборов. Показано, что НЕМТ на основе гетероструктур AlGaN/GaN могут обеспечивать 5—10-кратное увеличение удельной мощности (≥10 Вт/мм) при кпд до 60%, увеличение рабочих температур, повышение надежности по сравнению с приборами на основе GaAs.

The review of the outcomes, published per last years, on creation of UHF power transistors on AlGaN/GaN heterostructures is submitted. The problems of a design and technology of manufacturing of the transistors as well as an influence of a substrate on the characteristics of devices are surveyed. Is exhibited, that AlGaN/GaN НЕМТs can provide (5-10) multiple increases of power density (≥10 W/mm) at an efficiency up to 60 %, increase of operation temperatures, reliability increasing as compared to GaAs devices.

Показати повний запис статті