Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях

Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях

Москалюк, В.А. ; Тимофеев, В.И. ; Иващук, А.В.

Інші назви: Calculation of relaxation parameters GaAs in strong electric fields

Тема: Твердотельная СВЧ-микроэлектроника

УДК: 621.382.323

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70643

Посилання: Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях / В.А. Москалюк, В.И. Тимофеев, А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 61-64. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Дата: 2003

Завантажень: 539

Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях

Анотація:

Предложен способ аналитического расчета времен релаксации концентрации, импульса и энергии для GaAs в сильных электрических полях для моделирования динамических процессов с помощью соответствующих уравнений баланса.

The method of analytical calculation of the relaxation times of concentration, pulse and energy for GaAs in strong electric fields for modeling dynamic processes with the help of the appropriate equations of the balance is offered.

Показати повний запис статті