Перегляд за автором "Гиясова, Ф.А."

Результати 1-11 з 11

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта

Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Саидова, Р.А.; Гиясова, Ф.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)

Обнаруженный фотовольтаический эффект сопровождается сменой знака фототока при переходе из области собственного поглощения к примесному в легированной кислородом двухбазовой структуре Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au, ...
Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре

Абдулхаев, О.А.; Асанова, Г.О.; Гиясова, Ф.А.; Ёдгорова, Д.М.; Каримов, А.А.; Каримов, А.В. (Физическая инженерия поверхности, 2011)

На основании исследования переходных характеристик кремниевой p⁺pn⁺-структуры методом переключения из прямого направления на обратное определены зависимости времени жизни неосновных носителей заряда и времени восстановления ...
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами

Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Гиясова, Ф.А.; Мирджалилова, М.А.; Асанова, Г.О.; Абдулхаев, О.А.; Мухутдинов, Ж.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)

Приведены результаты исследований двухбарьерной фотодиодной кремниевой структуры с встречновключенными выпрямляющими переходами «металл полупроводник» в фотодиодном и фотовольтаическом режимах включения. Такие структуры ...
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵

Ёдгорова, Д.М.; Каримов, А.В.; Гиясова, Ф.А.; Саидова, Р.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)

Предлагаемые способ и устройство предназначены для создания многослойных полупроводниковых приборов различного спектрального диапазона, а также структур на основе арсенидгаллиевых соединений.
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура

Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А.; Гиясова, Ф.А.; Назаров, Ж.Т. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)

Приведены особенности технологии изготовления и фотоэлектрических характеристик обратновключенной n–p–m-структуры на основе арсенида галлия.
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами

Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Гиясова, Ф.А.; Зоирова, Л.Х.; Абдулхаев, О.А.; Джураев, Д.Р. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)

Исследовано влияние последовательно соединенных потенциальных барьеров на физические процессы, протекающие в гетеропереходе на примере одно- и многобарьерных структур. В результате модификации увеличивается фоточувствительность ...
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры

Ёдгорова, Д.М.; Каримов, А.В.; Гиясова, Ф.А.; Саидова, Р.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)

Исследованы характеристики двухсторонне чувствительных структур при воздействии излучения, определяемого областью собственного поглощения базовых областей. Структуры представляют интерес как бесшумные фотоприемники для ...
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев

Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Саидова, Р.А.; Гиясова, Ф.А.; Хайдаров, Ш.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)

Модифицировано устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых соединений типа АIIIВV. Показана возможность управления градиентом концентрации примесей, создающим внутренние электрические поля в фотоприемной и активной ...
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур

Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Гиясова, Ф.А.; Азимов, Т.М.; Бузруков, У.М.; Якубов, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)

Полученные результаты представляют интерес для создания фотоэлектропреобразовательных структур, регистрирующих слабые световые сигналы при малых рабочих напряжениях.
Фототранзистор составной на полевых транзисторах

Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А.; Каманов, Б.М.; Гиясова, Ф.А. (Физическая инженерия поверхности, 2012)

Экспериментально установлено, что в составном полевом транзисторе, где сток первого транзистора соединен со стоком второго транзистора, а исток присоединен к затвору с последовательно соединенным резистором, при освещении ...
Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения

Абдулхаев, О.А.; Гиясова, Ф.А.; Ёдгорова, Д.М.; Каманов, Б.М.; Каримов, А.В. (Физическая инженерия поверхности, 2012)

Проведены исследования функциональных характеристик полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах и схемах включения. Экспериментально установлено, что максимальные значения токов стока при соединении ...

Результати 1-11 з 11

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Гиясова, Ф.А."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Гиясова, Ф.А."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис