На основе соединений A²B⁶ создана пленочная In-n⁺(CdS)-n(CdSx
Te1-x)-p(Znx
Cd1-xTe)-Mo-структура фоточувствительная в диапазоне длин волн λ = 0,49–0,855 мкм при комнатных
температурах. Новизной в устройстве является наличие твердых растворов соединений
A²B⁶, что позволяет расширить диапазон спектральной чувствительности. При пропускном
направлении тока (когда положительный потенциал “+V” приложен к Мо-контакту) структура
ведет себя как фотоприемник с инверсией знака фототока I(λ) способного без помех эффективно
регистрировать длины волн видимой области спектра. При обратных направлениях фототока
структура работает в режиме внутреннего усиления первичного фототока и представляет собой
основу для создания инжекционного фотоприемника с высокой спектральной фоточувствительностью в видимой области спектра. Выявлены механизмы усиления и инверсии фототока.
На основіз’єднань A²B⁶ створена плівкова Іn-n⁺ (CdS)-n(CdSx
Te1-x)-p(Znx
Cd1-xTe)-Mo-структура
фоточутлива в діапазоні довжин хвиль λ = 0,49-0,855 напівтемних при кімнатних температурах.
Новизною в пристрої є наявність твердих розчинів з’єднань A²B⁶, що дозволяє розширити діапазон
спектральної чутливості. При пропускному напрямку струму (коли позитивний потенціал “+V”
прикладений до Мо-контакту) структура поводиться як фотоприймач із інверсією знака
фотоструму I(λ) здатного без перешкод ефективно реєструвати довжини хвиль видимої області
спектра. При зворотних напрямках фотоструму структура працює в режимі внутрішнього
посилення первинного фотоструму і являє собою основу для створення инжекционного фотоприймача з високою спектральною фоточутливістю у видимій області спектра. Виявлено
механізми посилення й інверсії фотоструму.
Photosensitive film structure of A²B⁶
compounds In-n⁺(CdS)-n(CdSx
Te1-x)-p(Znx
Cd1-xTe)-Mois
created for wave range λ = 0,49-0,855 јm and for work at room temperatures. Novelty of the
de-vice is presence of solid solutions A²B⁶, that allows to expand its spectral sensitivity range.
The structure behaves as the photoreceivers with inversion of mark of photocurrent I(λ) if positive
potential “+V” is enclosed to Мо- to contact. The inversion structure capable effectively to register
without handicapes different waves of the visible spectral range. The structure increases
a primary photocurrent at reverse bias, when potential “−V” is applied to Mo- contact. In this
case the structure is a basis for creation of injection photoreceiver, which has high spectral photosensitivity
in the visible spectral range.
