Отработаны технологические режимы анизотропного травления многослойных структур на
базе GaN для нужд современной оптоэлектроники с использованием комбинированного
индукционно-емкостного разряда в смеси метана с водородом. Получена скорость травления
до 100 нм/мин и селективность относительно SiO₂ на уровне 6:1, что демонстрирует пригодность
данной технологии для использования в производстве белых светодиодов. Травление
проводится без использования агрессивных соединений, которые содержат хлор и фтор.
Відпрацьовано технологічні режими анізотропного травління багатошарових структур на базі
GaN для потреб сучасної оптоелектроніки з використанням комбінованого індукційно-ємнісного
розряду в суміші метану з воднем. Отримано швидкість травління до 100 нм/хв і селективність відносно SiO₂ на рівні 6:1, що демонструє придатність даної технології для використання у виробництві білих світлодіодів. Травління проводиться
без використання агресивних сполук, які містять
хлор і фтор.
Technological regimes of anisotropic etching of
multilayer GaN-based structures for needs of modern
optoelectronics have been developed with use of
combined ICP reactor with RF bias in methanehydrogen
mixture. Etch rate up to 100 nanometers/
mines have been reached along with selectivity of 6:1
against SiO₂, that shows suitability of the given
technology for use in manufacture of white lightemitting
diodes. Etching is carried out without use of
aggressive gases containing chlorine and a fluorine.