Очистка кремния от фоновых и легирующих примесей при электронно-лучевой бестигельной зонной плавке

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізико-технічних проблем матеріалознавства
→
Современная электрометаллургия
→
Современная электрометаллургия, 2011
→
Современная электрометаллургия, 2011, № 4
→
Переглянути статтю

Очистка кремния от фоновых и легирующих примесей при электронно-лучевой бестигельной зонной плавке

Аснис, Е.А. ; Пискун, Н.В. ; Статкевич, И.И.

Інші назви: Refining of silicon from background and alloying impurities in electron beam crucibleless zonal melting

Тема: Электронно-лучевые процессы

УДК: 669.187.826

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96283

Посилання: Очистка кремния от фоновых и легирующих примесей при электронно-лучевой бестигельной зонной плавке / Е.А. Аснис, Н.В. Пискун, И.И. Статкевич // Современная электрометаллургия. — 2011. — № 4 (105). — С. 12-13. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Дата: 2011

Завантажень: 513

Очистка кремния от фоновых и легирующих примесей при электронно-лучевой бестигельной зонной плавке

Анотація:

Приведены данные о влиянии стерильности вакуумной плавильной камеры на содержание фоновых и легирующих примесей в монокристаллах кремния, полученных способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки.

Data are given about the effect of sterility of vacuum melting chamber on content of background and alloying impurities in silicon single crystals produced by electron beam crucibleless zonal melting.

Показати повний запис статті