Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading
Репозиторій DSpace/Manakin
Вхід
|
Допомога
Статистика
Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2000
→
Вопросы атомной науки и техники, 2000, № 3
→
Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading
Chumakov, V.I.
Тема:
Рlasma Dynamics and Plasma-Wall Interaction
УДК:
621.382
URI:
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/82375
Посилання:
Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading / V.I. Chumakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 3. — С. 96-98. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.
Дата:
2000
Переглядів:
905
Завантажень:
322
Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading
Анотація:
The linear heat model of degradations of semiconductor devices under pulsed electric overloading has been constructed. Expressions for temporal dependencies of the temperature under different forms of pulse of current are obtained.
Показати повний запис статті
Файли у цій статті
Name:
27-Chumakov.pdf
Розмір:
153.3Кб
Формат:
PDF
Перегляд/
Відкрити
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Вопросы атомной науки и техники, 2000, № 3
[52]
Пошук
Пошук
Ця колекція
Розширений пошук
Перегляд
Вся бібліотека
Розділи і Колекції
За датою випуску
Автори
Назви
Теми
Колекція
За датою випуску
Автори
Назви
Теми
Мій обліковий запис
Логін
Реєстрація