Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading

dc.contributor.author	Chumakov, V.I.
dc.date.accessioned	2015-05-29T07:28:09Z
dc.date.available	2015-05-29T07:28:09Z
dc.date.issued	2000
dc.identifier.citation	Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading / V.I. Chumakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 3. — С. 96-98. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1562-6016
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/82375
dc.description.abstract	The linear heat model of degradations of semiconductor devices under pulsed electric overloading has been constructed. Expressions for temporal dependencies of the temperature under different forms of pulse of current are obtained.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Вопросы атомной науки и техники
dc.subject	Рlasma Dynamics and Plasma-Wall Interaction	uk_UA
dc.title	Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.382