Electric barrier formation in kind of connected dip and hump of electric potential near ECR point

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2002
→
Вопросы атомной науки и техники, 2002, № 5
→
Переглянути статтю

Electric barrier formation in kind of connected dip and hump of electric potential near ECR point

Barchuk, S.V. ; Lapshin, V.I. ; Maslov, V.I. ; Onishchenko, I.N. ; Tretyakov, V.N.

Тема: Plasma electronics

Інший ID: PACS: 52.25.-b

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78923

Посилання: Electric barrier formation in kind of connected dip and hump of electric potential near ECR point / S.V. Barchuk, V.I. Lapshin, V.I. Maslov, I.N. Onishchenko, V.N. Tretyakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2002. — № 5. — С. 98-100. — Бібліогр.: 1 назв. — англ.

Дата: 2002

Завантажень: 321