Синтез алмазных покрытий в тлеющем разряде, стабилизированном магнитным полем

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2000
→
Вопросы атомной науки и техники, 2000, № 4
→
Переглянути статтю

Синтез алмазных покрытий в тлеющем разряде, стабилизированном магнитным полем

Опалев, О.А. ; Пашнев, В.К. ; Ковальчук, И.К. ; Стрельницкий, В.Е. ; Белоус, В.А. ; Колупаева, З.И.

Тема: Физика радиационных и ионно-плазменных технологий

УДК: 546.26.-162

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78213

Посилання: Синтез алмазных покрытий в тлеющем разряде, стабилизированном магнитным полем / О.А. Опалев, В.К. Пашнев, И.К. Ковальчук, В.Е. Стрельницкий, В.А. Белоус, З.И. Колупаева // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 158-164. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Дата: 2000

Завантажень: 1050

Синтез алмазных покрытий в тлеющем разряде, стабилизированном магнитным полем

Анотація:

Целью настоящей работы является исследование тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, как высокоэффективного средства для нанесения алмазной пленки и роста отдельных кристаллов алмаза, а также обсуждение процессов роста кристаллов алмаза и синтеза сплошной алмазной пленки на подложках из молибдена и вольфрама.

Показати повний запис статті