Обнаружена генерация продольной хемомагнитоэлектрической э.д.с. в полупроводниковых монокристаллических пластинах ІnР, размещенных во внешнем магнитном поле, при протекании на их поверхности гетерогенной химической реакции (рекомбинации атомов водорода, поступающих с газовой фазы). Исследованы зависимости величины хемомагнитной э.д.с. от температуры образца, величины магнитного поля и потока атомов на образец. Данную систему можно использовать для создания устройств, превращающмх энергию химической реакции в электрический сигнал (например, химических сенсоров).
Виявлена генерація повздовжньої хемомагнітоелектричної е.р.с. в напівпровідникових монокристалічних пластинках InP, розміщених в зовнішньому магнітному полі, при протіканні на їх поверхні гетерогенної хімічної реакції (рекомбінації атомів водню, що надходять з газової фази). Досліджені залежності величини хемомагнітної е.р.с. від температури зразка, величини магнітного поля та потоку атомів на зразок. Дану систему можна використовувати для створення пристроїв, які перетворюють енергію хімічної реакції в електричний сигнал (наприклад, хімічних сенсорів).
Production of transverse chemomagnetoelectromotive force (e.m.f.) is discovered in the single crystal InP wafer placed in an external magnetic field due to energy released in heterogeneous chemical reаction which proceeds on the surface (recombination of hydrogen atoms impinging on the surface from the gas phase). The dependence of e.m.f. on the sample temperature, the value of the magnetic field and the hydrogen atomic flux on the surface is examined. The chemomagnetoelectric effect on InP can be used for conversion of chemical energy into electricity (e.g. in chemical sensors applications).
