Розглянуто кінетичний модель впливу зовнішнього шуму, зокрема, флюктуацій швидкости ґенерації точкових дефектів і неоднорідности густини
опроміненого ГЦК-кристалу на утворення дисипативної модульованої
структури в просторовому розподілі вакансій. Швидкість ґенерації точкових дефектів типу вакансій по вузлах і густина їхніх стоків типу дислокацій уважалися як незалежними випадковими стаціонарними однорідними
полями, так і з певними параметрами кореляцій флюктуацій – просторової та часової. Такі стохастичні поля можуть спричиняти просторовий перерозподіл вакансій, який призводить до стаціонарного однорідного чи то
стохастичного поля їхньої густини. За її середнім значенням і кореляційними функціями зазначених флюктуацій встановлено умови, за яких в
результаті взаємодії між флюктуаціями густини вакансій це однорідне
випадкове поле стає нестійким по відношенню до стохастичного поля з
просторово-періодичним середнім розподілом густини вакансій. На прикладі ГЦК-ніклю чисельно передбачено та проаналізовано температурні
залежності просторових періодів дисипативної модульованої структури
вакансійної підсистеми у ГЦК-кристалі для зазначених випадків із врахуванням сумарної («електрохемічної» + «деформаційної») взаємодії між
вакансіями. Цей геометричний параметер такої структури визначається
також кінетичними характеристиками перерозподілу вакансій.
Рассмотрена кинетическая модель влияния внешнего шума, в частности,
флюктуаций скорости генерации точечных дефектов и неоднородности
плотности облучённого ГЦК-кристалла на образование диссипативной модулированной структуры в пространственном распределении вакансий.
Скорость генерации точечных дефектов типа вакансий на узлах и плотность их стоков типа дислокаций считались как независимыми случайными стационарными однородными полями, так и с определёнными параметрами корреляций флюктуаций – пространственной и временной. Такие
стохастические поля могут обусловить пространственное перераспределение вакансий, которое приводит к однородному стационарному или же стохастическому полю их плотности. По его среднему значению и корреляционным функциям указанных флюктуаций установлены условия, при которых в результате взаимодействия между флюктуациями плотности вакансий это однородное случайное поле становится неустойчивым в отношении
стохастического поля с пространственно-периодическим средним распределением плотности вакансий. На примере ГЦК-никеля численно предсказаны и проанализированы температурные зависимости пространственных
периодов диссипативной модулированной структуры вакансионной подсистемы в ГЦК-кристалле для указанных случаев с учётом суммарного
(«электрохимического» + «деформационного») взаимодействия между вакансиями. Этот геометрический параметр такой структуры определяется
также кинетическими характеристиками перераспределения вакансий.
A kinetic model for the influence of external noise, such as fluctuations of the
point defects’ generation rate and inhomogeneity of irradiated f.c.c. crystal,
on the formation of dissipative modulated structure in a spatial distribution of
vacancies is considered. The generation rate of vacancy-type point defects all
over the sites and a density of their dislocation-type sinks are modelled as independent
random uniform stationary fields and with certain defined parameters
of fluctuation correlations–spatial and temporal ones. Such stochastic fields
can induce a spatial redistribution of vacancies that can lead to their density
stationary uniform field or stochastic one. By the average value and correlation
functions of these fluctuations, the conditions for interacting fluctuations
of the vacancy density, under which this homogeneous random field becomes
unstable in relation to the stochastic field with a spatially periodic mean
distribution of vacancies’ density, are determined. For instance with f.c.c.
nickel as a model, the temperature dependences of spatial periods of the dissipative
modulated structure of vacancies’ subsystem in f.c.c. crystal in mentioned
cases are numerically forecasted and analysed, taking into account the
total (‘electrochemical’ + ‘strain-induced’) interaction between vacancies.
Such a geometrical parameter for a dissipative modulated structure is also determined
by the kinetic characteristics of vacancies’ redistribution.