Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки

dc.contributor.author	Светличный, А.М.
dc.contributor.author	Агеев, О.А.
dc.contributor.author	Шляховой, Д.А.
dc.date.accessioned	2014-11-15T16:39:53Z
dc.date.available	2014-11-15T16:39:53Z
dc.date.issued	2001
dc.identifier.citation	Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки / А.М. Светличный, О.А. Агеев, Д.А. Шляховой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 38-43. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70875
dc.description.abstract	Рассмотрены физические процессы, протекающие в системе О₂–SiO₂–Si под действием некогерентного излучения в период окисления кремния методом быстрой термической обработки.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технология производства	uk_UA
dc.title	Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	539.216.2.002—546.28