Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001, № 3 за датою випуску

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001, № 3 за датою випуску

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Развитие высоких технологий – путь к возрождению экономики Украины 
    Падалко, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
  • Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe 
    Завадский, В.А.; Зубарев, В.В.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Выполнено исследование влияния радиационной обработки быстрыми электронами на фоторезисторы на основе соединения "кадмий—ртуть—теллур" при температуре 80 и 120 К. Приведен анализ дозовой зависимости темновых тока и ...
  • Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники 
    Ковтун, Г.П.; Кравченко, А.И.; Щербань, А.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Изложены результаты исследований глубокого рафинирования галлия, цинка, кадмия и теллура дистилляционным методом, включая отгонку легколетучих примесей, перегонку и фильтрацию основного металла, с использованием простых ...
  • Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения 
    Мокрицкий, В.А.; Ленков, С.В.; Маслов, О.В.; Савельев, С.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Исходные монокристаллы СdZnTe (КЦТ) имеют большое число дефектов, что снижает сопротивление кристалла и увеличивает шумы прибора. Природа и роль подобных дефектов исследованы методом термостимулированной проводимости. Для ...
  • Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников 
    Косяченко, Л.А.; Раренко, И.М.; Марков, А.В.; Остапов, С.Э. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    С помощью численных методов решено уравнение Пуассона для n⁺–p-перехода, рассмотрены особенности распределения объемного заряда, напряженности электрического поля и потенциала. Показано, что при сужении запрещенной зоны ...
  • Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников 
    Болгов, С.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Разработаны малогабаритные длинноволновые (λ=5–14 мкм) источники ИК-излучения, работающие при комнатной и более высоких температурах. Источники генерируют положительные и отрицательные световые потоки относительно уровня ...
  • Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов 
    Попович, Н.И.; Довгошей, Н.И.; Качер, И.Э. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Исследованы оптические характеристики тонких пленок нового широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄. Область прозрачности пленок составляет 0,3—25 мкм, показатель преломления при λ=0,63 мкм равен 2,2. Оптические характеристики ...
  • Состояние и тенденции развития твердотельных фотопреобразователей солнечной энергии 
    Николаенко, Ю.Е.; Вакив, Н.М.; Круковский, С.И.; Ерохов, В.Ю.; Мельник, И.И.; Завербный, И.Р. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Проанализированы эволюция и современное состояние фотопреобразователей солнечной энергии на основе кремния и гетероструктур А₃В₅. Важной тенденцией развития космической энергетики стало возрастание количества микроспутников ...
  • Исследование характеристик миниатюрных тепловых труб для охлаждения микроэлектронной аппаратуры 
    Кравец, В.Ю. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Приведены результаты экспериментального исследования теплопередающих характеристик МТТ – миниатюрных тепловых труб (диаметром 2, 4 и 6 мм) при различных влияющих факторах (передаваемая мощность, ориентация в пространстве, ...
  • Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe 
    Байдуллаева, А.; Власенко, А.И.; Ломовцев, А.В.; Мозоль, П.Е. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Исследованы вольт-амперные характеристики кристаллического и поликристаллического CdTe n- и р-типов проводимости. Обнаружен эффект переключения с памятью после облучения образцов импульсами лазерного излучения. Время ...
  • Прецизионный датчик давления с пневмомеханическим резонатором для бортового оборудования ЛА 
    Черняк, Н.Г.; Бондаренко, А.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Рассматриваются физико-технические основы работы и проектирования прецизионного датчика давления с пневмомеханическим резонатором для бортового оборудования летательных аппаратов и контрольно-проверочной аппаратуры. ...
  • Статические погрешности измерителя углового ускорения и методы их устранения 
    Лопушенко, В.К.; Черняк, Н.Г.; Кильдышов, Г.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Рассмотрено поведение чувствительного элемента измерителя углового ускорения (ИУУ) компенсационного типа в случае пространственного движения основания. Получены выражения для определения коэффициентов преобразования для ...
  • Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования 
    Дудник, С.Ф.; Залюбовский, И.И.; Сагалович, А.В.; Сагалович, В.В.; Фареник, В.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Обосновано применение композиционных материалов типа "основа-покрытие" в качестве конструкционных материалов для некоторых энергоемких узлов технологического оборудования микроэлектроники (элементы, тепловые узлы, тепловые ...
  • БИС электронных пластиковых карт с предварительной оплатой 
    Сидоренко, В.П.; Забродина, О.Н.; Сидорчук, В.Н.; Николаенко, Ю.Е. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Рассмотрены структурная схема и режимы работы БИС электронных пластиковых карт для систем ресурсосбережения с предварительной оплатой энергоносителей. Обоснован выбор FLOTOX элемента памяти в качестве базовой ячейки матрицы ...
  • Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния 
    Вербицкий, В.Г.; Золотаревский, В.И.; Николаенко, Ю.Е.; Самотовка, Л.И.; Товмач, Е.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Рассмотрены возможности проектирования высоковольтных КМОП ИС на основе объемного кремния. Представлены электрические параметры ключей и коммутаторов, факторы, ограничивающие проектирование КМОП ИС с управлением сигналами ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис