Рассмотрены вопросы построения матрицы памяти БИС электронных пластиковых карт на FLOTOX-ячейках. Проведен анализ факторов, влияющих на параметры FLOTOX-ячеек в режимах программирования, циклирования стирание/запись и хранения информации. Приведены результаты исследования FLOTOX-ячеек.
FLOTOX memory matrix structure of smart cards LSI have been considered. Analysis of FLOTOX cell parameters in programming, erase/program cycling and retention modes has been carred out. Experemental parameters of FLOTOX cell have been presented.