Энергонезависимая память на элементах FLOTOX для БИС электронных карт

dc.contributor.author	Сидоренко, В.П.
dc.contributor.author	Сидорчук, В.Н.
dc.contributor.author	Забродина, О.Н.
dc.contributor.author	Николаенко, Ю.Е.
dc.date.accessioned	2014-11-12T08:04:49Z
dc.date.available	2014-11-12T08:04:49Z
dc.date.issued	2002
dc.identifier.citation	Энергонезависимая память на элементах FLOTOX для БИС электронных карт / В.П. Сидоренко, В.Н. Сидорчук, О.Н. Забродина, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 57-61. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70776
dc.description.abstract	Рассмотрены вопросы построения матрицы памяти БИС электронных пластиковых карт на FLOTOX-ячейках. Проведен анализ факторов, влияющих на параметры FLOTOX-ячеек в режимах программирования, циклирования стирание/запись и хранения информации. Приведены результаты исследования FLOTOX-ячеек.	uk_UA
dc.description.abstract	FLOTOX memory matrix structure of smart cards LSI have been considered. Analysis of FLOTOX cell parameters in programming, erase/program cycling and retention modes has been carred out. Experemental parameters of FLOTOX cell have been presented.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Интегральные схемы и полупроводниковые приборы	uk_UA
dc.title	Энергонезависимая память на элементах FLOTOX для БИС электронных карт	uk_UA
dc.title.alternative	Тhe FLOTOX cell nonvolatile memory is base of smart cards LSI	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.38