Один из механизмов деградации микроэлектромеханических структур датчиков давления

dc.contributor.author	Адарчин, С.А.
dc.contributor.author	Кужненков, А.С.
dc.contributor.author	Кожитов, Л.В.
dc.contributor.author	Косушкин, В.Г.
dc.date.accessioned	2014-11-11T20:03:54Z
dc.date.available	2014-11-11T20:03:54Z
dc.date.issued	2002
dc.identifier.citation	Один из механизмов деградации микроэлектромеханических структур датчиков давления / С.А. Адарчин, А.С. Кужненков, Л.В. Кожитов, В.Г. Косушкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 2. — С. 55-57. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70744
dc.description.abstract	Установлен механизм деградации и возникновения отказов микроэлектромеханических структур датчиков давления. Предложена математическая модель изменения величины температурного гистерезиса выходного сигнала датчиков, установлена степень его влияния на надежность приборов. Предложены способы уменьшения величины и снижения скорости возрастания гистерезиса выходного сигнала микроэлектромеханических структур.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Датчики	uk_UA
dc.title	Один из механизмов деградации микроэлектромеханических структур датчиков давления	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.382