Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки

Марончук, И.Е. ; Курак, В.В. ; Андронова, Е.В. ; Баганов, Е.А.

Інші назви: Вирощування гетероструктур GaSb/InAs рідкофазною епітаксією без розчинення підкладинки

Тема: Материалы для микроэлектроники

УДК: 621.362:621.383

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70709

Посилання: Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки / И.Е. Марончук, В.В. Курак, Е.В. Андронова, Е.А. Баганов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 6-9. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Дата: 2003

Завантажень: 688

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки

Анотація:

Рассмотрены особенности выращивания гетероструктур GaSb/InAs из жидкой фазы. Предложен модифицированный метод импульсного охлаждения раствора-расплава, позволяющий избежать растворения подложки InAs при контакте с неравновесной ей жидкой фазой Ga+Sb. Показано, что при отсутствии растворения подложки раствором-расплавом образование твердых растворов InGaAsSb в процессе роста эпитаксиального слоя GaSb не происходит, поскольку твердофазное растворение GaSb подложкой InAs является энергетически невыгодным.

Показати повний запис статті