Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки

dc.contributor.author	Марончук, И.Е.
dc.contributor.author	Курак, В.В.
dc.contributor.author	Андронова, Е.В.
dc.contributor.author	Баганов, Е.А.
dc.date.accessioned	2014-11-11T14:54:37Z
dc.date.available	2014-11-11T14:54:37Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.citation	Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки / И.Е. Марончук, В.В. Курак, Е.В. Андронова, Е.А. Баганов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 6-9. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70709
dc.description.abstract	Рассмотрены особенности выращивания гетероструктур GaSb/InAs из жидкой фазы. Предложен модифицированный метод импульсного охлаждения раствора-расплава, позволяющий избежать растворения подложки InAs при контакте с неравновесной ей жидкой фазой Ga+Sb. Показано, что при отсутствии растворения подложки раствором-расплавом образование твердых растворов InGaAsSb в процессе роста эпитаксиального слоя GaSb не происходит, поскольку твердофазное растворение GaSb подложкой InAs является энергетически невыгодным.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы для микроэлектроники	uk_UA
dc.title	Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки	uk_UA
dc.title.alternative	Вирощування гетероструктур GaSb/InAs рідкофазною епітаксією без розчинення підкладинки	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.362:621.383