Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом

Abstract

Изложен физический механизм внутреннего усиления фототока в p-n-переходе с длинной базой, на боковой поверхности которой создан полевой МДП-электрод. Совместное действие нескольких механизмов усиления увеличивает чувствительность инжекционного фотодиода.

The physical mechanism of inside amplification at the p-n-junction with long base, on the lateral surface of which the field-effect MOS-contact was made, was considered. The joint action of several mechanisms of amplification the sensitivity of injection photodiodes is increase.